SI1926DL-T1-E3
| 工場モデル | SI1926DL-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6 |
| パッケージ | SC-70-6 |
| 株式 | 728099 pcs |
| データシート | Material ComplianceSI1926DL |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.166 | $0.143 | $0.107 | $0.084 | $0.065 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 340mA, 10V |
| 電力 - 最大 | 510mW |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18.5pF @ 30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 370mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI1926 |
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