SI1912EDH-T1-E3
| 工場モデル | SI1912EDH-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6 |
| パッケージ | SC-70-6 |
| 株式 | 5396 pcs |
| データシート | Material ComplianceSIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 450mV @ 100µA (Min) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 280mOhm @ 1.13A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 570mW |
| パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.13A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI1912 |
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