IRFD210PBF
工場モデル | IRFD210PBF |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP |
パッケージ | 4-HVMDIP |
株式 | 168814 pcs |
データシート | IRFD210Mult Dev 01/Feb/2023 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.51 | $0.454 | $0.354 | $0.293 | $0.231 | $0.216 | $0.205 | $0.197 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 140 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 600mA (Ta) |
基本製品番号 | IRFD210 |
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