IRFD1Z3
| 工場モデル | IRFD1Z3 |
|---|---|
| メーカー | Harris Corporation |
| 詳細な説明 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
| パッケージ | 4-DIP, Hexdip |
| 株式 | 163737 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 579 |
|---|
| $0.207 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。163737のHarris Corporation IRFD1Z3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DIP, Hexdip |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.2Ohm @ 250mA, 10V |
| 電力消費（最大） | 1W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 50 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 400mA (Tc) |
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