IRFD123
| 工場モデル | IRFD123 |
|---|---|
| メーカー | Harris Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP |
| パッケージ | 4-HVMDIP |
| 株式 | 128025 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 346 |
|---|
| $0.345 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。128025のHarris Corporation IRFD123の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A (Ta) |
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