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2N6660

工場モデル 2N6660
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
パッケージ TO-205AD (TO-39)
株式 6808 pcs
データシート 2N6660(2)/2N6660JANTX(V)Mult Device OBS Update 15/May/2017SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014Material Compliance
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6808のVishay Siliconix 2N6660の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-205AD (TO-39)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
パッケージ/ケース TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 50 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 990mA (Tc)
基本製品番号 2N6660

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データシート

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