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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル > 2N657S
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2N657S

工場モデル 2N657S
メーカー Microchip Technology
詳細な説明 POWER BJT
パッケージ TO-5AA
株式 2398 pcs
データシート Microchip CA Prop65Microchip REACHMicrochip RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
100
$15.783
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのMicrochip Technologyシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2398のMicrochip Technology 2N657Sの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 40 V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.5V @ 15mA, 150mA
トランジスタ型式 NPN
サプライヤデバイスパッケージ TO-5AA
シリーズ -
電力 - 最大 600 mW
パッケージ/ケース TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
製品属性 属性値
パッケージ Bulk
運転温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
周波数 - トランジション -
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 40 @ 150mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA (ICBO)

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データシート

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