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2N6661JTXP02

工場モデル 2N6661JTXP02
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
パッケージ TO-39
株式 4589 pcs
データシート 2N6661(2)/2N6661JANTX(V)Material Compliance
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4589のVishay Siliconix 2N6661JTXP02の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-39
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
パッケージ/ケース TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 50 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 90 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 860mA (Tc)
基本製品番号 2N6661

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