TK3R3E08QM,S1X
工場モデル | TK3R3E08QM,S1X |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM |
パッケージ | TO-220 |
株式 | 90238 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$0.874 | $0.785 | $0.631 | $0.519 | $0.43 | $0.4 | $0.385 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 1.3mA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
シリーズ | U-MOSX-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 230W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | 175°C |
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7670 pF @ 40 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 110 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |
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