TK35N65W,S1F
| 工場モデル | TK35N65W,S1F |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 |
| パッケージ | TO-247 |
| 株式 | 26249 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $2.927 | $2.645 | $2.19 | $1.907 | $1.661 | $1.599 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 2.1mA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
| シリーズ | DTMOSIV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 17.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 270W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4100 pF @ 300 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Ta) |
| 基本製品番号 | TK35N65 |
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