Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TK3P80E,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK3P80E,RQ

工場モデル TK3P80E,RQ
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
パッケージ DPAK
株式 183493 pcs
データシート
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.402 $0.359 $0.28 $0.231 $0.183
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。183493のToshiba Semiconductor and Storage TK3P80E,RQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 4V @ 300µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費(最大) 80W (Tc)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 500 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 12 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3A (Ta)

おすすめ商品

TK3P80E,RQ データテーブルPDF