TK17N65W,S1F
工場モデル | TK17N65W,S1F |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247 |
パッケージ | TO-247 |
株式 | 54135 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
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$1.475 | $1.324 | $1.084 | $0.923 | $0.779 | $0.74 | $0.712 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 900µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 |
シリーズ | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 200mOhm @ 8.7A, 10V |
電力消費(最大) | 165W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1800 pF @ 300 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 17.3A (Ta) |
基本製品番号 | TK17N65 |
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