TK16J60W5,S1VQ
| 工場モデル | TK16J60W5,S1VQ |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 詳細な説明 | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| パッケージ | TO-3P(N) |
| 株式 | 46924 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.981 | $1.78 | $1.459 | $1.242 | $1.047 | $0.995 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。46924のToshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5,S1VQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 790µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 230mOhm @ 7.9A, 10V |
| 電力消費（最大） | 130W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1350 pF @ 300 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15.8A (Ta) |
| 基本製品番号 | TK16J60 |
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