TK16J60W,S1VQ
工場モデル | TK16J60W,S1VQ |
---|---|
メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P |
パッケージ | TO-3P(N) |
株式 | 5601 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 790µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
シリーズ | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 7.9A, 10V |
電力消費(最大) | 130W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1350 pF @ 300 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 38 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15.8A (Ta) |
基本製品番号 | TK16J60 |
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