Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SSM3J35MFV,L3F
SSM3J35MFV,L3F Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SSM3J35MFV,L3F

工場モデル SSM3J35MFV,L3F
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 100MA VESM
パッケージ VESM
株式 2937983 pcs
データシート Multi Device Obs Oct/2015Multiple Devices 01/Jul/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000
$0.089 $0.075 $0.039 $0.026 $0.018 $0.016
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2937983のToshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) -
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ VESM
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 8Ohm @ 50mA, 4V
電力消費(最大) 150mW (Ta)
パッケージ/ケース SOT-723
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 12.2 pF @ 3 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100mA (Ta)
基本製品番号 SSM3J35

おすすめ商品

SSM3J35MFV,L3F データテーブルPDF

データシート