Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SSM3J304T(TE85L,F)
SSM3J304T(TE85L,F) Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SSM3J304T(TE85L,F)

工場モデル SSM3J304T(TE85L,F)
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
パッケージ TSM
株式 5055 pcs
データシート Multiple Devices Oct/2013
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5055のToshiba Semiconductor and Storage SSM3J304T(TE85L,F)の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) -
Vgs(最大) ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TSM
シリーズ U-MOSIII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 127mOhm @ 1A, 4V
電力消費(最大) 700mW (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 335 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.1 nC @ 4 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.3A (Ta)
基本製品番号 SSM3J304

おすすめ商品

SSM3J304T(TE85L,F) データテーブルPDF

データシート