Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SSM3J356R,LXHF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J356R,LXHF

工場モデル SSM3J356R,LXHF
メーカー Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明 AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
パッケージ SOT-23F
株式 568244 pcs
データシート Term of Use Statement
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.199 $0.161 $0.109 $0.082 $0.061
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのToshiba Semiconductor and Storageシリーズの電子コンポーネントを専門としています。568244のToshiba Semiconductor and Storage SSM3J356R,LXHFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2V @ 1mA
Vgs(最大) +10V, -20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23F
シリーズ Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 300mOhm @ 1A, 10V
電力消費(最大) 1W (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-3 Flat Leads
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 330 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 8.3 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2A (Ta)

おすすめ商品

SSM3J356R,LXHF データテーブルPDF

データシート