STU9N65M2
工場モデル | STU9N65M2 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 5A IPAK |
パッケージ | TO-251 (IPAK) |
株式 | 119307 pcs |
データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev OBS 3/Jul/2020Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018ST(D,F,P,U)9N65M2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$0.515 | $0.461 | $0.36 | $0.297 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。119307のSTMicroelectronics STU9N65M2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) |
シリーズ | MDmesh™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
電力消費(最大) | 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 315 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Tc) |
基本製品番号 | STU9N |
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