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STU8N80K5

工場モデル STU8N80K5
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 6A TO251
パッケージ TO-251 (IPAK)
株式 98704 pcs
データシート STP8N80K5, STU8N80K5Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev OBS 3/Jul/2020Assembly Site 22/Nov/2022Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.889 $0.798 $0.641 $0.527 $0.436 $0.406 $0.391
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。98704のSTMicroelectronics STU8N80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 100µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-251 (IPAK)
シリーズ SuperMESH5™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 950mOhm @ 3A, 10V
電力消費（最大） 110W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 450 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 16.5 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
基本製品番号 STU8N80

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データシート

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