STU9N60M2
工場モデル | STU9N60M2 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK |
パッケージ | TO-251 (IPAK) |
株式 | 192690 pcs |
データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019ST(D,P,U)9N60M2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
$0.567 | $0.506 | $0.395 | $0.326 | $0.257 | $0.24 | $0.228 | $0.22 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-251 (IPAK) |
シリーズ | MDmesh™ II Plus |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 780mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大) | 60W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 320 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.5A (Tc) |
基本製品番号 | STU9N60 |
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