STU4N52K3
| 工場モデル | STU4N52K3 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 182462 pcs |
| データシート | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019New Molding Compound 13/Sep/2019STx4N52K3 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 | 10000 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| $0.526 | $0.47 | $0.366 | $0.303 | $0.239 | $0.223 | $0.212 | $0.204 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | SuperMESH3™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.6Ohm @ 1.25A, 10V |
| 電力消費（最大） | 45W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 334 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 525 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| 基本製品番号 | STU4N52 |
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