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STU3LN80K5 Image
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STU3LN80K5

工場モデル STU3LN80K5
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
パッケージ IPAK (TO-251)
株式 228802 pcs
データシート STP3LN80K5, STU3LN80K5 DatasheetMult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev OBS 3/Jul/2020Mult Change 03-May-2022Mult Dev Reinstate 6/Aug/2020STx3N80K5Mult Dev Wire Chg 12/Nov/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.501 $0.448 $0.349 $0.289 $0.228 $0.213 $0.202 $0.194
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。228802のSTMicroelectronics STU3LN80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 100µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ IPAK (TO-251)
シリーズ MDmesh™ K5
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.25Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 45W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 102 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 2.63 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Tc)
基本製品番号 STU3LN80

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データシート

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