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STU3N62K3

工場モデル STU3N62K3
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
パッケージ I-PAK
株式 208421 pcs
データシート Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021New Molding Compound 13/Sep/2019STx3N62K3
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000 10000
$0.527 $0.47 $0.367 $0.303 $0.239 $0.223 $0.212 $0.204
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。208421のSTMicroelectronics STU3N62K3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 50µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-PAK
シリーズ SuperMESH3™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.5Ohm @ 1.4A, 10V
電力消費（最大） 45W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 385 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 13 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 620 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.7A (Tc)
基本製品番号 STU3N62

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