STH410N4F7-6AG
| 工場モデル | STH410N4F7-6AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6 |
| パッケージ | H2PAK-6 |
| 株式 | 23119 pcs |
| データシート | STH410N4F7-2AG, STH410N4F7-6AGMult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev A/T Chgs 14/Mar/2023StripFET Datasheet Update 8/Apr/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.824 | $2.535 | $2.077 | $1.768 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-6 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.1mOhm @ 90A, 10V |
| 電力消費（最大） | 365W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11500 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Tc) |
| 基本製品番号 | STH410 |
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