STH80N10LF7-2AG
| 工場モデル | STH80N10LF7-2AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 |
| パッケージ | H2Pak-2 |
| 株式 | 79516 pcs |
| データシート | STH80N10LF7-2AG |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1000 | 2000 | 5000 |
|---|---|---|
| $0.571 | $0.532 | $0.512 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 40A, 10V |
| 電力消費（最大） | 110W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 28.3 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| 基本製品番号 | STH80 |
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