STH30N65DM6-7AG
| 工場モデル | STH30N65DM6-7AG |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V |
| パッケージ | H2PAK-7 |
| 株式 | 28268 pcs |
| データシート | Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STH30N65DM6-7AGSTH30N65DM6-7AG 06/Apr/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.428 | $2.181 | $1.787 | $1.521 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.75V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 115mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 223W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) |
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