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STB9NK80Z

工場モデル STB9NK80Z
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 66260 pcs
データシート D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Box Label Chg 28/Jul/2016Mult Devices Testing 10/May/2018Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021STB9NK80Z
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.87 $0.781 $0.628 $0.516
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。66260のSTMicroelectronics STB9NK80Zの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 100µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
電力消費（最大） 125W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1138 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 40 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 5.2A (Tc)
基本製品番号 STB9

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データシート

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