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STB9NK70Z-1 Image
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STB9NK70Z-1

工場モデル STB9NK70Z-1
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 5401 pcs
データシート STx9NK70Z(FP,-1)TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013Multiple Devices 01/Aug/2014
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5401のSTMicroelectronics STB9NK70Z-1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 100µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ SuperMESH™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.2Ohm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 115W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1370 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 68 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 700 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.5A (Tc)
基本製品番号 STB9N

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データシート

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