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STB80NF55L-08-1 Image
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STB80NF55L-08-1

工場モデル STB80NF55L-08-1
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 68209 pcs
データシート ST(B,P)80NF55L-08(-1)TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013STN/B/P 07/Feb/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$1.161 $1.043 $0.855 $0.728 $0.614 $0.583
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。68209のSTMicroelectronics STB80NF55L-08-1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ STripFET™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 8mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大） 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4350 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 100 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 55 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 80A (Tc)
基本製品番号 STB80N

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データシート

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