STB30N80K5
工場モデル | STB30N80K5 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CHANNEL 800V 24A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 21230 pcs |
データシート | STB30N80K5Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$2.829 | $2.555 | $2.115 | $1.842 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。21230のSTMicroelectronics STB30N80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | MDmesh™ K5 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 180mOhm @ 12A, 10V |
電力消費(最大) | 250W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1530 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 24A (Tc) |
基本製品番号 | STB30 |
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