STB35N60DM2
| 工場モデル | STB35N60DM2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK |
| パッケージ | D²PAK (TO-263) |
| 株式 | 23159 pcs |
| データシート | STB35N60DM2Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021Mult Dev Assembly Chg 19/Dec/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $2.259 | $2.03 | $1.664 | $1.416 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。23159のSTMicroelectronics STB35N60DM2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±25V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
| シリーズ | MDmesh™ DM2 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 14A, 10V |
| 電力消費（最大） | 210W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2400 pF @ 100 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB35 |
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