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STB2N62K3

工場モデル STB2N62K3
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 99886 pcs
データシート D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Multiple Devices 01/Aug/2014IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014STx2N62K3
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$0.653 $0.588 $0.472 $0.388
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。99886のSTMicroelectronics STB2N62K3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 50µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ SuperMESH3™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
電力消費（最大） 45W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 340 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 15 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 620 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.2A (Tc)
基本製品番号 STB2N

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データシート

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