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STB25NM60ND

工場モデル STB25NM60ND
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 6821 pcs
データシート D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014Mult Dev EOL 17/Oct/2018
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6821のSTMicroelectronics STB25NM60NDの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ FDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 160mOhm @ 10.5A, 10V
電力消費（最大） 160W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2400 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Tc)
基本製品番号 STB25N

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データシート

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