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STB200NF04L-1 Image
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STB200NF04L-1

工場モデル STB200NF04L-1
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
パッケージ I2PAK
株式 4916 pcs
データシート ST(B,P)200NF04(-1)
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4916のSTMicroelectronics STB200NF04L-1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I2PAK
シリーズ STripFET™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.8mOhm @ 50A, 10V
電力消費（最大） 300W (Tc)
パッケージ/ケース TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6400 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 90 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 40 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
基本製品番号 STB200N

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データシート

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