Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > STB17N80K5
STB17N80K5 Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

STB17N80K5

工場モデル STB17N80K5
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 37276 pcs
データシート STB17N80K5Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$1.819 $1.632 $1.337 $1.138
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。37276のSTMicroelectronics STB17N80K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ MDmesh™ K5
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 340mOhm @ 7A, 10V
電力消費（最大） 170W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 866 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 26 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 14A (Tc)
基本製品番号 STB17

おすすめ商品

STB17N80K5 データテーブルPDF

データシート

STB17N80K5に関連した語彙

STB17N80K5関連コンポーネント