STB20N65M5
工場モデル | STB20N65M5 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 58712 pcs |
データシート | STx20N65M5D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.217 | $1.093 | $0.895 | $0.762 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±25V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | MDmesh™ V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 190mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大) | 130W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1434 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18A (Tc) |
基本製品番号 | STB20 |
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