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STB11N65M5

工場モデル STB11N65M5
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 110764 pcs
データシート Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014IPD/15/9345 04/Aug/2015Datasheet Rev 09/Feb/2022Retraction IPD/15/9383 14/Sep/2015STx11N65M5
提案された価格 （米ドルでの測定）
1000 2000 5000
$0.471 $0.439 $0.423
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。110764のSTMicroelectronics STB11N65M5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ MDmesh™ V
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 480mOhm @ 4.5A, 10V
電力消費（最大） 85W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 644 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 17 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9A (Tc)
基本製品番号 STB11

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データシート

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