STB12NM50T4
| 工場モデル | STB12NM50T4 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK |
| パッケージ | D2PAK |
| 株式 | 42222 pcs |
| データシート | D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014ST(B,P)12NM50(FP,-1) |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $1.727 | $1.551 | $1.271 | $1.082 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。42222のSTMicroelectronics STB12NM50T4の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 50µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK |
| シリーズ | MDmesh™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 350mOhm @ 6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 550 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12A (Tc) |
| 基本製品番号 | STB12N |
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