STB10N95K5
工場モデル | STB10N95K5 |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK |
パッケージ | D²PAK (TO-263) |
株式 | 54142 pcs |
データシート | ST(B,F,P,W)10N95K5Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021IPD/15/9124 20/Mar/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.276 | $1.146 | $0.939 | $0.799 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。54142のSTMicroelectronics STB10N95K5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
RFQメール:info@Components-House.net
規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 100µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D²PAK (TO-263) |
シリーズ | SuperMESH5™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 800mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 130W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 630 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 950 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
基本製品番号 | STB10 |
おすすめ商品
-
STB11NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAKSTMicroelectronics -
STB10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAKSTMicroelectronics -
STB1081SL3G
IGBT D2PAK 350V SPECIALonsemi -
STB10150TR
DIODE SCHOTTKY 150V D2PAKSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions -
STB1060
DIODE SCHOTTKY 60V D2PAKSMC Diode Solutions -
STB10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAKSTMicroelectronics -
STB10NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKSTMicroelectronics -
STB11NK40ZT4
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAKSTMicroelectronics -
STB11NM60N-1
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAKSTMicroelectronics -
STB10LN80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAKSTMicroelectronics -
STB1060TR
DIODE SCHOTTKY 60V D2PAKSensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions -
STB110N55F6
MOSFET N-CH 550V DPAKSTMicroelectronics -
STB11N65M5
MOSFET N CH 650V 9A D2PAKSTMicroelectronics -
STB1081TF4G
IGBT D2PAK 350V SPECIALonsemi -
STB11NM60-1
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAKSTMicroelectronics -
STB11N52K3
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAKSTMicroelectronics -
STB10NK60ZT4
MOSFET N-CH 600V 10A D2PAKSTMicroelectronics -
STB10150
DIODE SCHOTTKY 150V D2PAKSMC Diode Solutions -
STB1081L3
TRANS IGBT CHIP N-CH 380V 15A 4Ponsemi -
STB11NM60FDT4
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAKSTMicroelectronics