RJK03E0DNS-00#J5
| 工場モデル | RJK03E0DNS-00#J5 |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| パッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| 株式 | 91220 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 319 |
|---|
| $0.373 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。91220のRenesas Electronics America Inc RJK03E0DNS-00#J5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.6mOhm @ 15A, 10V |
| 電力消費（最大） | 20W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3050 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15.2 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Ta) |
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