RJK03E2DNS-00#J5
| 工場モデル | RJK03E2DNS-00#J5 |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | RJK03E2 - Silicon N Channel Powe |
| パッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| 株式 | 6328 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 8A, 10V |
| 電力消費（最大） | 12.5W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1100 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta) |
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