Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > RJK03C1DPB-00#J5
Renesas Electronics America Inc

RJK03C1DPB-00#J5

工場モデル RJK03C1DPB-00#J5
メーカー Renesas Electronics America Inc
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
パッケージ LFPAK
株式 4954 pcs
データシート Label Change-All Devices 01/Dec/2022EOL 14/Dec/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのRenesas Electronics America Incシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4954のRenesas Electronics America Inc RJK03C1DPB-00#J5の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 2.2mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大） 65W (Tc)
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6000 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 42 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 Schottky Diode (Body)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 60A (Ta)

おすすめ商品

RJK03C1DPB-00#J5 データテーブルPDF

データシート

RJK03C1DPB-00#J5に関連した語彙

RJK03C1DPB-00#J5関連コンポーネント