2SJ673-AZ
| 工場モデル | 2SJ673-AZ |
|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics America Inc |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 36A TO220 |
| パッケージ | TO-220 Isolated Tab |
| 株式 | 52230 pcs |
| データシート | Multiple Devices 28/Aug/2013Label Change-All Devices 01/Dec/2022Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 500 |
|---|
| $0.624 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 Isolated Tab |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 20mOhm @ 18A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta), 32W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 Isolated Tab |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4600 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
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