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onsemi

2SJ661-DL-1E

工場モデル 2SJ661-DL-1E
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 38A TO263-2
パッケージ TO-263-2
株式 6625 pcs
データシート 2SJ661Mult Dev EOL 08/Jul/2021onsemi RoHSMult Dev Assembly Chg 16/Nov/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6625のonsemi 2SJ661-DL-1Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263-2
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 39mOhm @ 19A, 10V
電力消費（最大） 1.65W (Ta), 65W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4360 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 38A (Ta)
基本製品番号 2SJ661

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データシート

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