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onsemi

2SJ652-1E

工場モデル 2SJ652-1E
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
パッケージ TO-220F-3SG
株式 6093 pcs
データシート Mult Dev EOL 7/Apr/2021onsemi REACHonsemi RoHSMold compound change 20/Aug/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6093のonsemi 2SJ652-1Eの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） -
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F-3SG
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 38mOhm @ 14A, 10V
電力消費（最大） 2W (Ta), 30W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4360 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 80 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 28A (Ta)
基本製品番号 2SJ652

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データシート

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