RF1S45N06LESM
工場モデル | RF1S45N06LESM |
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メーカー | Harris Corporation |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | TO-263AB |
株式 | 100718 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
310 |
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$0.343 |
納期
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RFQメール:info@Components-House.net
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
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パッケージ | Bulk |
運転温度 | - |
装着タイプ | Surface Mount |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 45A |
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