RF1S640SM
| 工場モデル | RF1S640SM |
|---|---|
| メーカー | Harris Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 200V 18A TO263AB |
| パッケージ | TO-263AB |
| 株式 | 37543 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 110 |
|---|
| $0.972 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。37543のHarris Corporation RF1S640SMの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 180mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 125W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1275 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 18A (Tc) |
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