RF1S40N10SM
工場モデル | RF1S40N10SM |
---|---|
メーカー | Harris Corporation |
詳細な説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
パッケージ | TO-263AB |
株式 | 63213 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
210 |
---|
$0.533 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのHarris Corporationシリーズの電子コンポーネントを専門としています。63213のHarris Corporation RF1S40N10SMの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | - |
Vgs(最大) | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | - |
電力消費(最大) | - |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
運転温度 | - |
装着タイプ | Surface Mount |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A |
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