QJD1210SA1
工場モデル | QJD1210SA1 |
---|---|
メーカー | Powerex Inc. |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
パッケージ | Module |
株式 | 4219 pcs |
データシート | QJD1210SA1 Preliminary DatasheetNext Generation Power Semiconductors Brief |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.6V @ 34mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 17mOhm @ 100A, 15V |
電力 - 最大 | 520W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8200pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 330nC @ 15V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | QJD1210 |
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