QJD1210010
工場モデル | QJD1210010 |
---|---|
メーカー | Powerex Inc. |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
パッケージ | Module |
株式 | 5088 pcs |
データシート | QJD1210010 Preliminary DatasheetFull SiC & Hybride SiC IGBTs Brief |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのPowerex Inc.シリーズの電子コンポーネントを専門としています。5088のPowerex Inc. QJD1210010の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 10mA |
技術 | Silicon Carbide (SiC) |
サプライヤデバイスパッケージ | Module |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 25mOhm @ 100A, 20V |
電力 - 最大 | 1080W |
パッケージ/ケース | Module |
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Chassis Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 10200pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 500nC @ 20V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V (1.2kV) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | QJD1210 |
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